Tillverkare Produktnummer:
SISS08DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS08DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 53.9/195.5A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
5940 Pcs Ny Original I Lager
12915778
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS08DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
53.9A (Ta), 195.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.23mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3670 pF @ 12.5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS08
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISS08DN-T1-GE3DKR
SISS08DN-T1-GE3CT
SISS08DN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI6463BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
SI3457CDV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
SQA405EJ-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 10A PPAK SC70-6
