SISH625DN-T1-GE3

Tillverkare Produktnummer:

SISH625DN-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SISH625DN-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK

Detaljerad beskrivning:

P-Channel 30 V 17.3A (Ta), 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH

Inventarier:

Förfrågan Online

12920030

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SISH625DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Serie

TrenchFET®

Produktens status

Active

FET-typ

P-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

17.3A (Ta), 35A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

7mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

126 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4427 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

PowerPAK® 1212-8SH

Paket / Fodral

PowerPAK® 1212-8SH

Grundläggande produktnummer

SISH625

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Andra namn

SISH625DN-T1-GE3DKR

SISH625DN-T1-GE3CT

SISH625DN-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SIHF28N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO220

vishay-siliconix

SI7623DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI7862ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8

SIHA690N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO220