Tillverkare Produktnummer:
SISH108DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISH108DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Inventarier:
5983 Pcs Ny Original I Lager
12787554
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISH108DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8SH
Grundläggande produktnummer
SISH108
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISH108DN-T1-GE3TR
SISH108DN-T1-GE3CT
SISH108DN-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM36N20-54P-E3
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
SQM200N04-1M8_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
