Tillverkare Produktnummer:
SIS496EDNT-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIS496EDNT-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
12787756
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIS496EDNT-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1515 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
52W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SIS496
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SISA72DN-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
SISA72DN-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQM50020EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
SIR484DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
VP0808B-2
MOSFET P-CH 80V 880MA TO39
