Tillverkare Produktnummer:
SIS472DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIS472DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 3.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
17606 Pcs Ny Original I Lager
12916281
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIS472DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
997 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 28W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SIS472
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIS472DN-T1-GE3DKR
SIS472DN-T1-GE3CT
SIS472DN-T1-GE3TR
SIS472DN-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ3418EV-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
