Tillverkare Produktnummer:
SIRC04DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRC04DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
4931 Pcs Ny Original I Lager
12787231
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIRC04DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.45mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2850 pF @ 15 V
FET-funktion
Schottky Diode (Body)
Effektförlust (max)
50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIRC04
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIRC04DP-T1-GE3DKR
SIRC04DP-T1-GE3CT
SIRC04DP-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQV120N06-4M7L_GE3
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
SQS407ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
