Tillverkare Produktnummer:
SIRA28BDP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIRA28BDP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 38A (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
6527 Pcs Ny Original I Lager
12917487
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIRA28BDP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 38A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
582 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 17W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIRA28
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIRA28BDP-T1-GE3CT
SIRA28BDP-T1-GE3TR
SIRA28BDP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK
SIR878BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
SQM50N04-4M0L_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
