Tillverkare Produktnummer:
SIR850DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR850DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12919738
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR850DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
25 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR850
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR850DP-T1-GE3CT
SIR850DP-T1-GE3DKR
SIR850DP-T1-GE3TR
SIR850DPT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIRA18ADP-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2543
DEL NUMMER
SIRA18ADP-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.11
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQM110P06-8M9L_GE3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
SI7434DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
SI5479DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK
