Tillverkare Produktnummer:
SIR798DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR798DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12787441
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR798DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.05mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5050 pF @ 15 V
FET-funktion
Schottky Diode (Body)
Effektförlust (max)
83W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR798
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR798DP-T1-GE3DKR
SIR798DP-T1-GE3TR
SIR798DP-T1-GE3CT
SIR798DP-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIRC10DP-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5967
DEL NUMMER
SIRC10DP-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.29
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIS780DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 18A PPAK1212-8
SI7386DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SUP60N10-16L-E3
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
