Tillverkare Produktnummer:
SIR642DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR642DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12786976
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR642DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4155 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR642
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR642DP-T1-GE3TR
SIR642DPT1GE3
SIR642DP-T1-GE3CT
SIR642DP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSC022N04LSATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
18064
DEL NUMMER
BSC022N04LSATMA1-DG
ENHETSPRIS
0.52
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SIR470DP-T1-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
6457
DEL NUMMER
SIR470DP-T1-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.11
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR188DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
SIHH11N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A PPAK 8 X 8
SIB437EDKT-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK TSC75-6
