Tillverkare Produktnummer:
SIR5623DP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR5623DP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 10.5A (Ta), 37.1A(Tc) 4.8W (Ta), 59.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12000 Pcs Ny Original I Lager
12999093
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR5623DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1575 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR5623
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIR5623DP-T1-RE3CT
742-SIR5623DP-T1-RE3DKR
742-SIR5623DP-T1-RE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TSM085N03PQ33
30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM4NB60CH
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM240N03CX6
30V, 6.5A, SINGLE N-CHANNEL POWE
