Tillverkare Produktnummer:
SIR424DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR424DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 30A (Tc) 4.8W (Ta), 41.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12786268
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR424DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR424
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIR424DP-T1-GE3CT
SIR424DP-T1-GE3TR
SIR424DP-T1-GE3DKR
SIR424DP-T1-GE3-DG
SIR424DPT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR466DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS626DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK1212-8
SIHG17N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
