Tillverkare Produktnummer:
SIR403EDP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIR403EDP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 40A (Tc) 5W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
13481 Pcs Ny Original I Lager
12787462
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIR403EDP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4620 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIR403
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIR403EDP-T1-GE3CT
742-SIR403EDP-T1-GE3TR
742-SIR403EDP-T1-GE3DKR
SIR403EDP-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIS330DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
SIRA90DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SUP85N10-10-GE3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
