SIJ438ADP-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIJ438ADP-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIJ438ADP-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 45.3A (Ta), 169A(Tc) 5W (Ta), 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventarier:

6777 Pcs Ny Original I Lager
12786225
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIJ438ADP-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
45.3A (Ta), 169A(Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Ta), 69.4W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SIJ438

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIJ438ADP-T1-GE3DKR
SIJ438ADP-T1-GE3TR
SIJ438ADP-T1-GE3CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQJA92EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 57A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIHF9630STRL-GE3

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

vishay-siliconix

SQ4840EY-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SO

vishay-siliconix

SISS28DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S