Tillverkare Produktnummer:
SIHP33N60E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP33N60E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
695 Pcs Ny Original I Lager
12919474
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP33N60E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
278W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP33
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SIHP33N60EGE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUD40151EL-GE3
MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
SI3440DV-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
SQJ860EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
