Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHP24N65E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP24N65E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12921038
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP24N65E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP24
Datablad och dokument
Datasheets
SIHP24N65E-GE3
HTML-Datasheet
SIHP24N65E-GE3-DG
Datablad
SIHG24N65E
Packaging Information
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SIHP24N65E-GE3CT
SIHP24N65E-GE3CT-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STP24N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
189
DEL NUMMER
STP24N60M2-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SPP24N60C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
129
DEL NUMMER
SPP24N60C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
2.95
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP24NM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
486
DEL NUMMER
STP24NM60N-DG
ENHETSPRIS
1.39
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP30N65M5
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5189
DEL NUMMER
STP30N65M5-DG
ENHETSPRIS
3.17
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP33N60M2
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
727
DEL NUMMER
STP33N60M2-DG
ENHETSPRIS
2.08
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
2N7002L
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
SIJ400DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 32A PPAK SO-8