Tillverkare Produktnummer:
SIHP105N60EF-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHP105N60EF-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12918191
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHP105N60EF-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
EF
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
102mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1804 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SIHP105
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIHG105N60EF-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
463
DEL NUMMER
SIHG105N60EF-GE3-DG
ENHETSPRIS
1.84
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3493DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
SQD25N06-22L_T4GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
SQS482EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
