SIHL630STRL-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHL630STRL-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHL630STRL-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online
12787319
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHL630STRL-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 5V
rds på (max) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SIHL630

Datablad och dokument

Datablad
IRL630S, SiHL630S
Datasheets
SIHL630STRL-GE3
HTML-Datasheet
SIHL630STRL-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SUD40N10-25-T4-E3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252

vishay-siliconix

SQ2303ES-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236

vishay-siliconix

SIR866DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQM40031EL_GE3

MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK