Tillverkare Produktnummer:
SIHL620STRL-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHL620STRL-GE3-DG
Beskrivning:
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
776 Pcs Ny Original I Lager
12977900
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHL620STRL-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
800mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 5 V
Vgs (max)
±10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
742-SIHL620STRL-GE3TR
742-SIHL620STRL-GE3DKR
742-SIHL620STRL-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SIHL620S-GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
860
DEL NUMMER
SIHL620S-GE3-DG
ENHETSPRIS
0.31
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DELNUMMER
IRL620STRLPBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
130
DEL NUMMER
IRL620STRLPBF-DG
ENHETSPRIS
0.84
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHB30N60ET5-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR220TRPBF-BE3
N-CHANNEL 200V
SQJ488EP-T2_GE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE