SIHG47N60E-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHG47N60E-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG47N60E-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 47A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

440 Pcs Ny Original I Lager
12960087
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHG47N60E-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
64mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9620 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG47

Datablad och dokument

Datablad
SIHG47N60E
Datasheets
SIHG47N60E-GE3
HTML-Datasheet
SIHG47N60E-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRL530

MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB

vishay-siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SI7784DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 46A 8SO