Tillverkare Produktnummer:
SIHG460B-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHG460B-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
12920652
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHG460B-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
250mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3094 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
278W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG460
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ4080EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 150V 18A 8SO
SI5441DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
SQR97N06-6M3L_GE3
MOSFET N-CH 60V 50A TO252
