Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHG44N65EF-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHG44N65EF-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 46A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
Förfrågan Online
12786713
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHG44N65EF-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
73mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5892 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
417W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG44
Datablad och dokument
Datablad
SIHG44N65EF
Datasheets
SIHG44N65EF-GE3
HTML-Datasheet
SIHG44N65EF-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW50N65DM2AG
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
600
DEL NUMMER
STW50N65DM2AG-DG
ENHETSPRIS
3.94
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
SPW47N60C3FKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2038
DEL NUMMER
SPW47N60C3FKSA1-DG
ENHETSPRIS
9.11
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXFX80N60P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
3
DEL NUMMER
IXFX80N60P3-DG
ENHETSPRIS
11.27
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STW48NM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
582
DEL NUMMER
STW48NM60N-DG
ENHETSPRIS
8.75
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQD19P06-60L_GE3
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
SIDR608DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
SISS42LDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK
SUD35N10-26P-T4GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252