Tillverkare Produktnummer:
SIHG35N60EF-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHG35N60EF-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
12919103
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHG35N60EF-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
EF
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2568 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG35
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
25
Andra namn
SIHG35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3CT
SIHG35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHG35N60EF-GE3TR
SIHG35N60EF-GE3TR-DG
SIHG35N60EF-GE3DKR
SIHG35N60EF-GE3DKR-DG
SIHG35N60EF-GE3CT-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXKH47N60C
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
141
DEL NUMMER
IXKH47N60C-DG
ENHETSPRIS
14.94
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4408DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
SIR182DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SQM100N02-3M5L_GE3
MOSFET N-CH 20V 100A TO263
