Tillverkare Produktnummer:
SIHG24N65E-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHG24N65E-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventarier:
12965892
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHG24N65E-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
SIHG24
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
SIHG24N65EE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFH50N60P3
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
386
DEL NUMMER
IXFH50N60P3-DG
ENHETSPRIS
5.53
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHG73N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC
SIR172ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
SIR158DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8