SIHG17N80AEF-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHG17N80AEF-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHG17N80AEF-GE3-DG

Beskrivning:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventarier:

296 Pcs Ny Original I Lager
12949159
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHG17N80AEF-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
EF
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
305mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
179W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AC
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad
SIHG17N80AEF
Datasheets
SIHG17N80AEF-GE3
HTML-Datasheet
SIHG17N80AEF-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
500
Andra namn
742-SIHG17N80AEF-GE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SIHA5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

vishay-siliconix

SI3129DV-T1-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP

nexperia

PXP6R7-30QLJ

PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXP013-30QLJ

PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33