Tillverkare Produktnummer:
SIHF22N60E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHF22N60E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventarier:
969 Pcs Ny Original I Lager
12917844
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHF22N60E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1920 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHF22
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SIHF22N60E-GE3TR
SIHF22N60E-GE3DKR
SIHF22N60E-GE3TRINACTIVE
SIHF22N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF22N60E-GE3TR-DG
SIHF22N60E-GE3CT
SIHF22N60E-GE3CT-DG
SIHF22N60E-GE3DKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHG22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SI7446BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
