Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SIHD5N50D-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHD5N50D-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventarier:
Förfrågan Online
12786150
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHD5N50D-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DPAK
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SIHD5
Datablad och dokument
Datablad
SIHD5N50D
SIHD5N50D
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
SIHD5N50D-GE3DKR-DG
SIHD5N50D-GE3DKRINACTIVE
SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD5N50DGE3
SIHD5N50D-GE3DKR
SIHD5N50D-GE3TR-DG
SIHD5N50D-GE3CT-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFR825TRPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
52779
DEL NUMMER
IRFR825TRPBF-DG
ENHETSPRIS
0.84
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK5P50D(T6RSS-Q)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1982
DEL NUMMER
TK5P50D(T6RSS-Q)-DG
ENHETSPRIS
0.44
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK7P50D(T6RSS-Q)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1980
DEL NUMMER
TK7P50D(T6RSS-Q)-DG
ENHETSPRIS
0.49
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK6P53D(T6RSS-Q)
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1990
DEL NUMMER
TK6P53D(T6RSS-Q)-DG
ENHETSPRIS
0.47
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STD5N52U
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
4972
DEL NUMMER
STD5N52U-DG
ENHETSPRIS
0.42
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUD50P04-15-E3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIR494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
SIRA60DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
SQ2309ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236