Tillverkare Produktnummer:
SIHB35N60EF-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHB35N60EF-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 32A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12 Pcs Ny Original I Lager
12917423
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHB35N60EF-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Bulk
Serie
EF
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2568 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SIHB35
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SIHB35N60EF-GE3CT-DG
SIHB35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3TR
SIHB35N60EF-GE3TR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKR-DG
SIHB35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHB35N60EF-GE3CT
SIHB35N60EF-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FCB070N65S3
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
375
DEL NUMMER
FCB070N65S3-DG
ENHETSPRIS
3.04
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI3455ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.7A 6TSOP
SI4186DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SO
SQS460ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8W
