Tillverkare Produktnummer:
SIHA6N65E-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHA6N65E-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 31W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventarier:
12916492
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHA6N65E-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
E
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
31W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHA6
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPAW60R600P7SXKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1
DEL NUMMER
IPAW60R600P7SXKSA1-DG
ENHETSPRIS
0.94
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ4184EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 29A 8SOIC
SQ1420EEH-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
IXFN66N85X
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
