SIHA21N65EF-E3
Tillverkare Produktnummer:

SIHA21N65EF-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHA21N65EF-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 21A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventarier:

Förfrågan Online
12786800
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHA21N65EF-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
35W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHA21

Datablad och dokument

Datablad
SIHA21N65EF
Datasheets
SIHA21N65EF-E3
HTML-Datasheet
SIHA21N65EF-E3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQJQ410EL-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 135A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHB12N60ET5-GE3

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

vishay-siliconix

SIHB12N50C-E3

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

vishay-siliconix

SQD50N04-5M6_T4GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA