SIHA15N80AEF-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHA15N80AEF-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHA15N80AEF-GE3-DG

Beskrivning:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventarier:

1020 Pcs Ny Original I Lager
12965698
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHA15N80AEF-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
350mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1128 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
742-SIHA15N80AEF-GE3

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
rohm-semi

R6535KNX3C16

650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED S

toshiba-semiconductor-and-storage

TK3R2A08QM,S4X

UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM

vishay-siliconix

SQJ186EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)

vishay-siliconix

SI7386DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8