SIHA15N50E-E3
Tillverkare Produktnummer:

SIHA15N50E-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHA15N50E-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 14.5A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventarier:

980 Pcs Ny Original I Lager
12786904
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHA15N50E-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1162 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHA15

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
742-SIHA15N50E-E3
SIHA15N50E-E3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SUM40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

vishay-siliconix

SIS407ADN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SIR640ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK

vishay-siliconix

SUP60N06-12P-GE3

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB