Tillverkare Produktnummer:
SIHA12N50E-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIHA12N50E-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 10.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventarier:
1000 Pcs Ny Original I Lager
12918274
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIHA12N50E-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
886 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
32W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220 Full Pack
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
SIHA12
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
742-SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4404DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQP10250E_GE3
MOSFET N-CH 250V 53A TO220AB
