Tillverkare Produktnummer:

SIE726DF-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIE726DF-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)

Inventarier:

Förfrågan Online

12786125

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SIE726DF-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

-

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

160 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

7400 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

10-PolarPAK® (L)

Paket / Fodral

10-PolarPAK® (L)

Grundläggande produktnummer

SIE726

Ytterligare information

Standard-paket

3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay-siliconix

SIHD2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

vishay-siliconix

SIHD7N60ET4-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA

vishay-siliconix

SIS444DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263