SIDR638DP-T1-RE3
Tillverkare Produktnummer:

SIDR638DP-T1-RE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIDR638DP-T1-RE3-DG

Beskrivning:

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 64.6A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC

Inventarier:

6000 Pcs Ny Original I Lager
12977789
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIDR638DP-T1-RE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
64.6A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.88mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
204 nC @ 10 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8

Datablad och dokument

Datablad
SIDR638DP

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIDR638DP-T1-RE3DKR
742-SIDR638DP-T1-RE3CT
742-SIDR638DP-T1-RE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI2325DS-T1-BE3

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ457EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SIHFL210TR-GE3

MOSFET N-CHANNEL 200V

vishay-siliconix

SIHLU024-GE3

LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V