Tillverkare Produktnummer:
SIDR626LEP-T1-RE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIDR626LEP-T1-RE3-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventarier:
6000 Pcs Ny Original I Lager
12965598
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIDR626LEP-T1-RE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
48.7A (Ta), 218A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5900 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
7.5W (Ta), 150W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8DC
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIDR626LEP-T1-RE3CT
742-SIDR626LEP-T1-RE3TR
742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR182LDP-T1-RE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
SIHA21N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SIR576DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
