Tillverkare Produktnummer:
SIB406EDK-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIB406EDK-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC75-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventarier:
2603 Pcs Ny Original I Lager
12786547
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIB406EDK-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.95W (Ta), 10W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-75-6
Grundläggande produktnummer
SIB406
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIB406EDK-T1-GE3CT
SIB406EDK-T1-GE3TR
SIB406EDK-T1-GE3DKR
SIB406EDKT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHB100N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
SQ2348ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A TO236
SUD40N08-16-E3
MOSFET N-CH 80V 40A TO252
