SIAA40DJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIAA40DJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIAA40DJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Inventarier:

5144 Pcs Ny Original I Lager
12959811
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIAA40DJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
12.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
+20V, -16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
19.2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIAA40

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIAA40DJ-T1-GE3DKR
742-SIAA40DJ-T1-GE3DKR
SIAA40DJ-T1-GE3DKR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3TR-DG
SIAA40DJ-T1-GE3CT-DG
742-SIAA40DJ-T1-GE3CT
SIAA40DJ-T1-GE3CT
742-SIAA40DJ-T1-GE3TR
SIAA40DJ-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFIZ34GPBF

MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3

vishay-siliconix

SI7718DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRFR9214TRR

MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

vishay-siliconix

SI7358ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8