Tillverkare Produktnummer:
SIAA02DJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIAA02DJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
4210 Pcs Ny Original I Lager
13270172
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIAA02DJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta), 52A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max)
+12V, -8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1250 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIAA02
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR
742-SIAA02DJ-T1-GE3CT
742-SIAA02DJ-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2393DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
UPA2738GR-E2-AX
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
DMN2053UW-13
MOSFET 8V~24V SOT323
