Tillverkare Produktnummer:
SIA923EDJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA923EDJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventarier:
6757 Pcs Ny Original I Lager
12960149
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA923EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
rds på (max) @ id, vgs
54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
7.8W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundläggande produktnummer
SIA923
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA923EDJT1GE3
SIA923EDJ-T1-GE3DKR
SIA923EDJ-T1-GE3CT
SIA923EDJ-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MSCSM170HRM451AG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A
SI4973DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
MSCSM170HRM11NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A