SIA911ADJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA911ADJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA911ADJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventarier:

12916274
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA911ADJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
rds på (max) @ id, vgs
116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 10V
Effekt - Max
6.5W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundläggande produktnummer
SIA911

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6

vishay-siliconix

SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC