Tillverkare Produktnummer:
SIA906EDJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventarier:
119578 Pcs Ny Original I Lager
12915595
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA906EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Effekt - Max
7.8W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundläggande produktnummer
SIA906
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4931DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP