SIA906EDJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA906EDJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA906EDJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventarier:

119578 Pcs Ny Original I Lager
12915595
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA906EDJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
rds på (max) @ id, vgs
46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 10V
Effekt - Max
7.8W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundläggande produktnummer
SIA906

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA906EDJT1GE3
SIA906EDJ-T1-GE3DKR
SIA906EDJ-T1-GE3TR
SIA906EDJ-T1-GE3CT
SIA906EDJ-T1-GE3-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI4931DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC

littelfuse

MMIX2F60N50P3

MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD

vishay-siliconix

SI6966DQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

vishay-siliconix

SI4908DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC