SIA813DJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA813DJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA813DJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

Inventarier:

Förfrågan Online
12917121
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA813DJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
LITTLE FOOT®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
355 pF @ 10 V
FET-funktion
Schottky Diode (Isolated)
Effektförlust (max)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Grundläggande produktnummer
SIA813

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA813DJT1GE3
SIA813DJ-T1-GE3DKR
SIA813DJ-T1-GE3CT
SIA813DJ-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI7440DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI1307EDL-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

vishay-siliconix

SI1013R-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A

vishay-siliconix

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP