SIA477EDJT-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA477EDJT-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA477EDJT-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single

Inventarier:

10917 Pcs Ny Original I Lager
12913992
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA477EDJT-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3050 pF @ 6 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA477

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA477EDJT-T1-GE3DKR
SIA477EDJT-T1-GE3CT
SIA477EDJT-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFR420ATRPBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFP350LC

MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3

vishay-siliconix

IRL630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

littelfuse

IXFA230N075T2

MOSFET N-CH 75V 230A TO263