SIA440DJ-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIA440DJ-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIA440DJ-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Inventarier:

37176 Pcs Ny Original I Lager
12918080
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIA440DJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
26mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA440

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA440DJ-T1-GE3TR
SIA440DJ-T1-GE3DKR
SIA440DJ-T1-GE3CT

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI7465DP-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI4862DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 16V 17A 8SO

vishay-siliconix

SI5855CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8

vishay-siliconix

SIRA84DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8