Tillverkare Produktnummer:
SIA427DJ-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIA427DJ-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventarier:
22728 Pcs Ny Original I Lager
12912933
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIA427DJ-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
8 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 5 V
Vgs (max)
±5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 4 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-70-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-70-6
Grundläggande produktnummer
SIA427
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIA427DJ-T1-GE3TR
SIA427DJ-T1-GE3CT
SIA427DJT1GE3
SIA427DJ-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFPC50A
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
SI7880ADP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4464DY-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
