Tillverkare Produktnummer:
SI8823EDB-T2-E1
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI8823EDB-T2-E1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4MICRO FOOT
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 2.7A (Tc) 900mW (Tc) Surface Mount 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Inventarier:
2971 Pcs Ny Original I Lager
12913356
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI8823EDB-T2-E1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
95mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
900mW (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paket / Fodral
4-XFBGA
Grundläggande produktnummer
SI8823
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI8823EDB-T2-E1TR
SI8823EDB-T2-E1CT
SI8823EDB-T2-E1DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.21.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL3103D1STRR
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
SI4100DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
SI4412ADY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
