SI7983DP-T1-E3
Tillverkare Produktnummer:

SI7983DP-T1-E3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI7983DP-T1-E3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

Inventarier:

Förfrågan Online
12920531
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI7983DP-T1-E3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.7A
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 600µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
1.4W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SI7983

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7983DP-T1-E3DKR
SI7983DPT1E3
SI7983DP-T1-E3CT
SI7983DP-T1-E3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SI9933BDY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8SOIC

vishay-siliconix

SI4622DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

vishay-siliconix

SIZ790DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6PWRPAIR

vishay-siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC