Tillverkare Produktnummer:
SI7956DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7956DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventarier:
6414 Pcs Ny Original I Lager
12914919
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7956DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A
rds på (max) @ id, vgs
105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
1.4W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SI7956
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7956DP-T1-GE3TR
SI7956DP-T1-GE3DKR
SI7956DP-T1-GE3CT
SI7956DPT1GE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
SI9945BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
SI4276DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC