Tillverkare Produktnummer:
SI7922DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7922DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventarier:
42035 Pcs Ny Original I Lager
12920167
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7922DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A
rds på (max) @ id, vgs
195mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
1.3W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SI7922
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7922DN-T1-GE3TR
SI7922DNT1GE3
SI7922DN-T1-GE3CT
SI7922DN-T1-GE3DKR
Q7011816
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI6913DQ-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
SI6963BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
SIZ320DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 30A/40A 8PWR33
